FLASH память стала забывать

[realid]

Приветствую!

На самом деле исчерпание ресурса проявляется иначе. При каждом цикле стирания или записи часть электронов застревает в диэлектрике, через который происходит инжектирование/туннелирование. Поэтому стертая ячейка с "1" просто начинает нестабильно читаться (записанная с "0" читается как надо). Причем беда в том, что при +25С все будет нормально (т.е. запуск в тепличных устройствах и все диагностики памяти пройдут как надо), а при снижении температуры до +5С могут начаться сбои.

Приветствую!
Спасибо за информацию.
Но повышенная утечка заряда из-за ухудшения изолятора тоже имеет место быть. Где-то читал про разработку технологии восстановления ячеек.

[testerplus]

Но повышенная утечка заряда из-за ухудшения изолятора тоже имеет место быть. Где-то читал про разработку технологии восстановления ячеек.

В общем-то, да. Каждый цикл записи/стирания уменьшает параметр Data Retention. Наверное, ты прав: проявление утечки будет сказываться раньше, чем дело дойдет до нестабильного чтения.

[omercury]

Здесь явно не выработка ресурса, потому как замена кристалла не привела к выздоровлению системы.
Явно "Баллада о здоровой пище"

[Albert_V]

baiderin, проверьте по схеме подключение WR и CS. Наверняка там не стоят резисторы на "GND" или на "+". Похоже, что у Вас до "старта проца" флеша может находится в режиме записи.
Посмотрите PDF на флешу и поставьте резисторы так, что бы не было разрешения на запись (не выбрана по CS флеша) до выхода проца из Reset.