Как работает данная схема? Преобразователь 12-22

[AlexK77]

2 ALEX__A:
Рассмотрим схему

-- Прилагается рисунок: --

Составим схему замещения
Схема разделена на 2части- заряд и разряд С2
На схемах исключены не работающие (закрытые, запертые и т.д.) элементы.
Видно, что цепи заряда и разряда разные и несимметричные
Никаких ООС не наблюдается,заряд(разряд) конденсатора происходит
по экспоненциальным законам где тау равно эр-це...
Схема представляет собой обычный имп.преобразователь
с конденсаторным элементом накопления энергии и ключевыми элементами- транзисторами.
Удачи

-- Прилагается рисунок: --

[Falconist]

Основным свойством эмиттерного повторителя является то, что он, за счёт действия практически 100% ООС, никогда не входит в режим насыщения.

Уважаемый Алексей, IMHO эмиттерный повторитель теоретически загнать в насыщение все-таки можно. Для этого на его базу нужно подать потенциал, превышающий Uпит+Uбэ. Но тогда открывается уже коллекторный переход и такое преимущество ЭП, как высокое входное сопротивление, летит коту под хвост - нужно ставить токоограничивающий резистор, как в схеме с ОЭ. Видимо, поэтому такой режим на практике и не используется - лучше уж тупо ставить ключ с ОЭ.

[AlexK77]

Falconist

Транзистор управляется током а не потенциалом

Если "на его базу нужно подать потенциал, превышающий Uпит+Uбэ"- то это уже не эмиттерный повторитель

И коллекторный переход никак не может открыться,
он имеет свойство называемое "смещением"

Такого начитаешься что и кухарка не поможет...

[Falconist]

... коллекторный переход никак не может открыться, он имеет свойство называемое "смещением"

Леша, переключите тестер в режим омметра, возьмите любой транзистор и "прозвоните" его база-коллекторный переход в обоих направлениях. Потом хорошенько подумайте и скажИте, что куда смещено... После этого переключИте тестер в режим измерения напряжения и померяйте потенциал на базе ЭП. И опять же, хорошенько подумайте, что бы это значило. А разжевывать что-либо человеку, желающему только повыстебываться - мне недосуг.

Если Вы считаете, что у Вас пиписка длиннее - флаг Вам в руки. Я возражать не буду. Миль пардон, если я Вам больше не буду отвечать. Мне такая бестолковая дискуссия "ни о чем" больше не интересна.

Мой любимый (ныне, к сожалению, покойный) учитель - профессор Фищенко В.Я. говаривал так: "Одни люди поют то, что знают, а другие - знают, что поют". Похоже, что Вы относитесь к первой категории...

[Falconist]

Прикрепленный рисунок (Хоровиц и Хилл, то же издание, что упоминал в одном из предыдущих постов, С.90) - к тому, что и как может или не может "открыться".

Учитесь, "Сэр"!

-- Прилагается рисунок: --

[AlexK77]

Кто объяснит обиженному ув.собеседнику,
что нарисованные верхние диоды в опр. режимах меняют направление(смещаются)
Меня он не слышит...

[ALEX__A]

2 ALEX__A:
...
Составим схему замещения
Схема разделена на 2части- заряд и разряд С2
На схемах исключены не работающие (закрытые, запертые и т.д.) элементы.
Видно, что цепи заряда и разряда разные и несимметричные
Никаких ООС не наблюдается,заряд(разряд) конденсатора происходит
по экспоненциальным законам где тау равно эр-це...
Схема представляет собой обычный имп.преобразователь
с конденсаторным элементом накопления энергии и ключевыми элементами- транзисторами.
Удачи

В приведенной Вами схеме замещения в базовой цепи VT2 (VT1) вместо "R канала" (или последовательно с ним, если Вы считаете невозможным им пренебречь) следует указывать источник сигнала, в виде источника напряжения. Этот источник напряжения дискретен и принимает два уровня напряжения в соответствии с высоким и низким уровнем напряжения используемой КМОП логики.

На рис. 1 приведена эквивалентная схема. На схеме видно, что напряжение источника сигнала, складывается с полным (100%) выходным напряжением (напряжением на емкости), т.о. увеличение напряжения на емкости, приводит к увеличению обратного напряжения на переходе БЭ транзистора, а следовательно, поскольку уменьшается управляющий ток, способствует закрытию транзистора - имеет место ООС.

Очевидно, что от классической схемы, показанной на втором рисунке, где напряжение на выходе вычитается из напряжения источника сигнала, тем самым уменьшая ток через управляющий переход, первую схему отличает то, что в ней уменьшение управляющего тока через переход происходит за счет увеличения обратного напряжения, представляющего собой сумму напряжения источника сигнала и напряжения выхода.
Иными словами в указанных схемах реализуется одна и таже 100 % ООС, но физически разными приемами.

С уважением, Алексей.

-- Прилагается рисунок: --

[Falconist]

Ладно, поступлюсь "принципами".

Кто объяснит...

моему непонятливому собеседнику,
что нарисованные на приводимом рисунке верхние диоды не могут "изменить направление"? Сместиться - да, они смещаются, когда к базе прикладывается напряжение, по величине меньшее, чем Uпит, что происходит отнюдь не в "опр. режимах", а всегда при нормальной работе транзистора.

Описанный мною в одном из предыдущих постов вариант, в котором открываются оба перехода (и эмиттерный и коллекторный) - эксквизитный, на практике не применяемый, но теоретически возможный и учитывать его стОило бы. Например, хотя бы в аварийных режимах или, допустим, при наличии форсирующего конденсатора параллельно токоограничивающему резистору в полумостовых/мостовых инверторах ("верхний" транзистор) - при достаточно крутом фронте входного сигнала потенциал на базе может-таки превысить Uпит+Uбэ.

Кстати, нельзя исключить, что этот механизм может вызывать рассимметрирование сигнала с полумоста? (IMHO!). Опять же повторюсь: рассуждения чисто теоретические и не претендующие на истину в последней инстанции.

[Slava1355]

2 ALEX__A:
Рассмотрим схему

-- Прилагается рисунок: --

Составим схему замещения
Схема разделена на 2части- заряд и разряд С2
На схемах исключены не работающие (закрытые, запертые и т.д.) элементы.
Видно, что цепи заряда и разряда разные и несимметричные
Никаких ООС не наблюдается,заряд(разряд) конденсатора происходит
по экспоненциальным законам где тау равно эр-це...
Схема представляет собой обычный имп.преобразователь
с конденсаторным элементом накопления энергии и ключевыми элементами- транзисторами.
Удачи

Коллеги, разрешите и мне сказать пару слов по теме ...
Выходной каскад этой схемы выполнен на базе двухтактного эмиттерного повторителя на транзисторах VT1,VT2, работающих в ЛИНЕЙНОМ режиме. Единственное кратковременное отклонение от линейного режима работы каскада связано с некоторой некорректностью схемы. В момент включения схемы происходит заряд емкостей С2,С3 через диоды VD1,VD2 и транзисторы VT1,VT2 током не ограниченной величины. В этот момент возможен кратковременный переход транзисторов в режим насыщения. При этом кратковременно резко возрастает потребление тока от м/сх DD1. Но маломощные преобразователи, аналогичные изображенному, обычно переносят такие броски тока без последствий. Если же строить на таком принципе более мощные преобразователи, то потребуется ставить элементы защиты от бросков тока.
Главное достоинство усилителя мощности на базе такого сдвоенного эмиттерного повторителя - то, что он НЕ ВХОДИТ В РЕЖИМ НАСЫЩЕНИЯ и поэтому не накапливает в базах неосновные носители, и их не надо рассасывать. Схема работает в т.н. режиме "ненасыщающихся ключей". Поэтому она обладает очень хорошими частотными свойствами и практически не имеет проблем со сквозными токами. Платой за это является большое остаточное напряжение на таких ключах - 0,6...0,9В и, как следствие, невысокий КПД преобразователя.
Приведенная ранее Falconist схема, где транзисторы соединены вместе коллекторами является схемой на насыщающихся ключах. Она вполне работоспособна, имеет существенно меньшие остаточные напряжения. Но, если использовать те же транзисторы что и в схеме с ОК, частотные свойства будут в несколько раз хуже. К тому же добавятся проблемы со сквозными токами, что потребует формирования специальной формы управляющего напряжения с deadtime участками.

AlexK77
Кто объяснит обиженному ув.собеседнику,
что нарисованные верхние диоды в опр. режимах меняют направление(смещаются)
Меня он не слышит...

Для начала уточню терминологию: в некоторых режимах не "диоды меняют направление", а напряжение на переходах меняет направление. При глубоком насыщении транзисторного ключа НАПРЯЖЕНИЕ на коллекторном (Б-К) переходе транзисторного ключа меняет знак и он смещается в прямом направлении. В ключе этот эффект мог бы играть положительную роль сливая избыточный базовый ток на "землю" и не давая накапливаться лишним неосновным носителям в базе транзистора. Но материал и технология коллекторного перехода тот же, что и у базового перехода, поэтому напряжения Б-Э не хватает чтобы открыть Б-К переход. Поэтому реального положительного эффекта такое смещение в обычных транзисторах не дает. Существуют ключевые транзисторы где параллельно Б-К переходу монтируется в том же направлении диод шоттки. Такой диод имеет напряжение прямого открывания 0,25-0,3В и не влияет на работу транзистора в линейном режиме (обратного смещения переходов). Но при насыщении транзистора он переходит в режим прямого смещения и открывается раньше Б-К перехода транзистора и эффективно "сливает" лишний базовый ток не давая транзистору уйти в "глубокое" насыщение. Такие транзисторы используются в логических сериях ТТЛШ и обеспечивают увеличение быстродействия в несколько раз без увеличения (или даже при снижении) потребления.

-- Прилагается рисунок: --

[marera]

Кто объяснит обиженному ув.собеседнику,
что нарисованные верхние диоды в опр. режимах меняют направление(смещаются)
Меня он не слышит...

Сударь!!! Во всех своих постах Вы почти идеально ПРАВЫ! Я Вам сочуствую (!!!) в попытках доказать очевидное. Друзья, будте внимательнее и... не всегда учебники можно цитировать так непосредственно.