Электроника - это просто Теоретические и практические вопросы для начинающих электронщиков. |
15.10.2021, 15:31
|
|
Временная регистрация
Регистрация: 19.04.2020
Сообщений: 58
Сказал спасибо: 26
Сказали Спасибо 1 раз в 1 сообщении
|
Управление MOSFETом
Всем привет!
Большая просьба не пинать за очередной банальный вопрос по MOSFETам, но никак не могу взять в толк.
Есть четкое понимание что открытие и закрытие производится регулированием потенциала на GATE относительно SOURCE. И нет понимания как на открытие влияет потенциал на DRAIN, если он там есть.
Например стоит задача по управлению питанием системы от аккума или от адаптера с помощью P канального мосфета. То что POWER PATH еще называется. На DRAIN есть потенциал батарейки, на SOURCE адаптера. Как оно будет закрываться открываться? Должна ли быть какая то дельта между стоком и истоком? Или важен только исток?
|
|
|
|
15.10.2021, 15:37
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,046
Сказал спасибо: 2,775
Сказали Спасибо 2,726 раз(а) в 2,015 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFETом
Сообщение от bor
|
открытие и закрытие производится регулированием потенциала на GATE относительно SOURCE
|
Представьте себе МОСФЕТ как управляемое сопротивление (выключатель). Когда между истоком и затвором 0В - выключатель разомкнут (огроменное сопротивление сток-исток). Когда подали нужное напряжение правильной полярности - выключатель замкнулся (маленькое сопротивление сток-исток согласно даташиту).
Это, конечно, очень грубо, но даст ответ на Ваш вопрос.
И да - не забывать про встроенный паразитный диод между стоком и истоком.
|
|
|
|
15.10.2021, 15:40
|
|
Временная регистрация
Регистрация: 19.04.2020
Сообщений: 58
Сказал спасибо: 26
Сказали Спасибо 1 раз в 1 сообщении
|
Re: Управление MOSFETом
Сообщение от Yuri222
|
Представьте себе МОСФЕТ как управляемое сопротивление (выключатель). Когда между истоком и затвором 0В - выключатель разомкнут (огроменное сопротивление сток-исток). Когда подали нужное напряжение правильной полярности - выключатель замкнулся (маленькое сопротивление сток-исток согласно даташиту).
Это, конечно, очень грубо, но даст ответ на Ваш вопрос.
И да - не забывать про встроенный паразитный диод между стоком и истоком.
|
И на то что на стоке при этом - вообще все равно?
|
|
|
|
15.10.2021, 15:44
|
|
Модератор
Регистрация: 04.08.2010
Адрес: Москва СЗАО
Сообщений: 11,257
Сказал спасибо: 11,170
Сказали Спасибо 3,858 раз(а) в 2,928 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFETом
bor, а немного почитать про физику работы MOSFET?
Тогда все станет на свои места. Заодно и потом здесь небольшую статью для остальных начинающих опубликуете. Чтобы меньше искали.
Цитата:
|
Для N-канальных полевых транзисторов отпирающим является положительное (относительно истока) напряжение, приложенное к затвору и при этом превышающее пороговое напряжение открывания этого транзистора. Соответственно, для P-канальных полевых транзисторов отпирающим будет являться отрицательное относительно истока напряжение, приложенное к затвору и превышающее его пороговое напряжение.
|
PS bor, для еще большей простоты используйте вместо транзистора реле с диодами для нужной проводимости и нужной полярности управления.
Это очень близко к реальному результату в ключевом режиме.
__________________
rtfm forever должно быть основой для каждого. Альтернатива грустна, поскольку метод слепого щенка успешно работает при весьма малом числе вариантов…
Последний раз редактировалось mike-y-k; 15.10.2021 в 15:49.
|
|
|
|
15.10.2021, 15:46
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 27.01.2005
Адрес: Россия, КЧР, Нижний Архыз
Сообщений: 3,637
Сказал спасибо: 116
Сказали Спасибо 814 раз(а) в 591 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFETом
Сообщение от bor
|
с помощью P канального мосфета. На DRAIN есть потенциал батарейки, на SOURCE адаптера.
|
А к чему затвор подключен?
Здесь все достаточно просто: если между истоком и затвором напряжение меньше некоего порога (скажем, -2.5В), то транзистор откроется (а ток сможет течь в любую сторону). Если больше другого порога (скажем, -0.8В), то закроется. Если между ними, он будет в линейном режиме, а его сопротивление будет выше Rdson.
На p-канальном мосфете часто делают защиту от переполюсовки: затвор сажаем на землю, на сток подключаем питание, с истока снимаем. Если питание правильно подключено, то через паразитный диод идет некоторый стартовый ток, в итоге на истоке появляется напряжение, затвор открывает транзистор - и ток уже течет через открытый транзистор, т.е. на нем падает не так уж и много, да и ток намного больший может течь. Если же питание подключить наоборот, то транзистор останется закрытым, и пропускать ничего не будет. Эдакий элементарнейший "идеальный диод".
__________________
Союз Советских Социалистических Округов Северной Америки
|
|
|
|
15.10.2021, 15:55
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 20.03.2007
Адрес: "Братское кольцо враждебности", т.е. ближайшее заМКАДье.
Сообщений: 7,020
Сказал спасибо: 3,026
Сказали Спасибо 3,201 раз(а) в 2,172 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFETом
В данном случае
Сообщение от bor
|
... задача по управлению питанием системы от аккума или от адаптера с помощью P канального мосфета.
|
важным является не величина разности потенциалов сток-исток, а её знак. Из-за наличия
Сообщение от Yuri222
|
встроенный паразитный диод между стоком и истоком.
|
Если нужно чтобы аккумулятор не разряжался через отключенный от первичного питания адаптер - надо принять меры. Если не брать в расчёт дополнительный диод, то плодотворную дебютную идею можно найти в документации на Li-Ion protection - два встречно включенных MOSFET'а.
__________________
Экзорцист 40-го уровня.
Последний раз редактировалось ForcePoint; 15.10.2021 в 18:05.
Причина: Разность потенциалов, aka напряжение
|
|
|
|
15.10.2021, 16:33
|
|
Заблокирован
Регистрация: 07.09.2014
Адрес: В Кремле!
Сообщений: 4,486
Сказал спасибо: 396
Сказали Спасибо 2,220 раз(а) в 1,319 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFETом
В даташите есть графики. В зависимости от напряжения Vgs (gate-source) изменяется сопротивление Rdson (сопр.между drain и source во включенном состоянии). Это сопротивление оказывает влияние на проходящий через мосфет ток Id. А он, помноженный на сопротивление Rdson, порождает выделяемую на мосфете мощность Pdis (мощность рассеяния), которая разогревает транзистор до температуры Tcase (темп.корпуса), учитывая теплопередачу в среду.
И запомните ГЛАВНОЕ. Не потенциал! Не потенциал, а НАПРЯЖЕНИЕ. Напряжение Vgs. Потому как в n- и p- канальных мосфетах схема зеркальная.
|
|
|
|
15.10.2021, 16:41
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,046
Сказал спасибо: 2,775
Сказали Спасибо 2,726 раз(а) в 2,015 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFETом
Сообщение от bor
|
И на то что на стоке при этом - вообще все равно?
|
Нарисуйте две схемы - контакты выключателя закорочены/контакты разомкнуты (с диодом между ними в соотв. полярности).
Т.к. каким будет напряжение на стоке - зависит от остальной обвязки (от способа включения).
|
|
|
|
15.10.2021, 20:18
|
|
Заблокирован
Регистрация: 27.07.2011
Адрес: Харьков
Сообщений: 8,236
Сказал спасибо: 4,687
Сказали Спасибо 11,566 раз(а) в 3,474 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFETом
Цитата:
|
как на открытие влияет потенциал на DRAIN, если он там есть
|
В первом приближении никак, кроме эффекта Миллера.
Все остальные нюансы есть на графиках в даташите.
(и Миллер тоже)
Последний раз редактировалось Ан-162; 16.10.2021 в 11:23.
|
|
|
|
19.10.2021, 10:41
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 15.11.2010
Сообщений: 2,379
Сказал спасибо: 338
Сказали Спасибо 328 раз(а) в 253 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFETом
Удивительно. ТС спрашивает про потенциалы на выодах МОП транзистора, а вы уже до Миллера добрались.
Ответ же прост: потенциал на gate всегда измеряется относительно source. При этом надо обязательно помнить, что при открытии транзистора эти два потенциала будут стремится выравнятся. От этого факта и надо отталкиваться при разработке.
|
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 00:03.
|
|