Впринципе я смерился с насыщением транзисторов - сейчас проблемма в следующем:
Имею трансформатор на ETD39 (слои от центра на ружу)
слой число витков
первичка 42 (d=0,5мм)
первая вторичка 20 (2 по d=0,5мм)
вторая вторичка 20 (2 по d=0,5мм)
продолжение первички 40 (d=0,5мм)
Зазор в сердечнике 0,1мм
Картинка - лучше не придумешь, но я делаю стабилизатор тока, в результате при данных параметрах транса я получаю не более 8А, а мне надо 12А минимум при нагрузке в 1,4Ом (порядка 200Вт)
Пробую намотать следующим образом:
слой число витков
первичка 42 (d=0,5мм)
первая вторичка 20 (2 по d=0,5мм)
продолжение пер.вторички 20 (2 по d=0,5мм)
вторая вторичка 20 (2 по d=0,5мм)
продолжение втор.вторички 20 (2 по d=0,5мм)
продолжение первички 40 (d=0,5мм)
Зазор в сердечнике 0,1мм
Результат хуже не бывает!:
прамоугольные импульсы на первичке превращаются в полусинусойды, ток коллектора возростает в 2 раза, транзистор и трансформатор начинает греться при том выходной ток еще 6А, поднимать выходной ток я уже не рискую.
-- Прилагается рисунок: --