Подскажите как убрать выбросы на коллекторах тран-ов в ИИП

[jtlex]

Прошу прощения,что ввел в заблуждение силовые транзисторы греются и при 6А на выходе, только время нагрева больше, Однако ток коллектора силового транзистора колеблится в диапазоне от 1,8А до 2А при выходном токе 6А-8,5А. Транзисторы не открываются полностью, так как напряжение на них остается в диапазоне 30-40В - Возможно это является причиной нагрева, так как получаем Р=2*40=80Вт!
Если я прав, то как можно увеличить открытие транзистора?
Может изменить потенциал на базе, так как у меня сейчас делитель R3/R4 = 330к/3,3к

-- Прилагается рисунок: --

[tauP10]

R3 и R4 не трогайте - они только запускают схему в режиме самовозбуждения и через несколько периодов перестают оказывать влияние, начинает работать управление от TL494 .
Для лучшего насыщения транзисторов уменьшите R9 и R10 до 2 или 1 Ома. (а сколько было?) (а какие параметры управляющего трансформатора?)

На всяий случай информирую , что при неправильно откалиброванном щупе осциллографа вы не можете наблюдать действительную амплитуду импульсов (и напряжение насыщения в импульсной схеме). Ткните щупом в калибратор 1 кГц и посмотрите (и выровняйте подстройкой) чтобы горизонтальные площадки были максимально горизонтальны. Скорее всего у вас не 30-40 вольт на транзисторах а гораздо меньше , просто щуп не откалиброван (или осциллограф с очень кривой полосой Y )

[jtlex]

Щупы откалиброваны и врут они не более чем на 10%
Резисторы эти номиналом 10 Ом.
Попробую уменьшить до одного...
Да моточные данные управляющего транса:
К18х8х5 1000НМ
вторичка 7-8 20 витков
9-10 20 витков
первичка 1-2 16 витков
3-4 2 витка
5-6 16 витков

[tauP10]

Так бы сразу и говорили, у вас транс управляющий неверено сконструирован. Кто Вам сказал что 2 витка в силовой обмотке и по 16 в базовую устроит Ваши транзисторы 13007 ? Бросьте в него камень .
При таких обмотках ток в базу в 8 раз меньше тока коллектора А что говорит даташит на транзисторы??? догадались? "при токах 2-4А в коллекторе для нормального насыщения требуется ток в базу 1/5 от тока коллектора. Внимательно посмотрите в даташит и убедитесь. Сделали 2 витка силовой - будьте добры сделать по 9 или 10 витков в базовых обмотках. Но не 16 .
Кроме этого, обмотки управления по 20 витков у Вас (Ктр=10), то есть когда управляющие транзисторы включаются , чтобы запереть соответствующие силовые транзисторы, а ток в силовых 2А, означает, что ток в коллекторах управл. транзисторов должен быть минимум 200мА + ток необходимый для рассасывания заряда базы, по хорошему 400-500мА в сумме , Ваши управляющие транзисторы обеспечивают такой ток ? я почти уверен что плохо обеспечивают , потому что на осциллограммах от Сен 20, 2007 2:48 которые Вы рисовали на 2-й странице обсуждения, видно как им тяжко открываться (ступенька конкретная ).
Поэтому попробуйте изменить управляющий транс - сделайте 2 витка силовой и по 10 в базу (можно и 9) . Коллекторные управляющие обмотки сделайте по 40 витков.
Полярность обмоток не напутайте
Должно стать все получше.

-- Прилагается рисунок: --

[jtlex]

Огромное спасибо tauP10 - Вы как всегда были правы - Транзисторы сразу стали открываться полностью, что значительно снизило нагрев на 6А, только они все еще греются, или я слишком много хачу - 6А на выходе и транзисторы холодные?
Осцилограммы на нижнем силовом транзисторе имеют следующий вид:
(на прилагаемом рисунке вехнее - это напряжение эмитор-коллектор, нижнее это ток эмитора. Измерение напряжения происходило относительно эмитора, так как если мерить относительно коллектора, то ввиду того, что осцилографф не заземлен он начинает вводить в схему наводки и комутацию токов вообще не разобрать.
Развертка по времени 2мкс/кл , развертка по амплитуде для напряжения 50В/кл, развертка по току 2А/кл)

-- Прилагается рисунок: --

Прикрепленный файл: 135564.rar

[jtlex]

В прикрепленном файле тоже фото, но с большим разрешением

[tauP10]

Поздравляю, уже кое-какие успехи есть.

Транзистор на картинке нормально насыщен, потери статические можно сказать минимальны.
Выключение транзистора тоже нормальное , достаточно быстрое. А вот включение не ахти, хотя возможно на этой элементной базе лучше и не получится сделать.

Прикинем грубо: время включения примерно 0,6 мкс , из них 0,3 мкс приходится на наиболее напряженный участок , когда ток коллектора 2-4 А и напряжение К-Э ~= 50V (судя по осциллограмме )/ Итого 150 Вт динамические потрери в течении 0,3 мкс и с периодом 15мкс . Усредненные потери на каждый транзистор = 150* 0,3/15 = 3 Вт . Это только на включениях, плюс 1 Вт на статику +0,5 вт на выключение , Вобщем 4-5 вт рассеиваясь на каждом из ваших радиаторов способны их нагреть довольно серьезно (градусов до 70-80) за час работы.
Вентилятор поможет охлаждать ваши радиаторы.

Вывод какой можно сделать, применяя не очень быстрые диоды, и не очень быстрые транзисторы (полевые тут были бы получше) иногда оптимальнее делать источник питания на 30 кГц чем на 66 и тем более 100 или 400. И все из за динамических потерь, как Вы сами убеждаетесь на примере своей схемы. Процент динам. потерь на бОльшем периоде уменьшается.

[jtlex]

А нельза ли как ни будь "форсировать" включение транзистора?

[jtlex]

Увы, но 10А я так и не получил Транзисторы нагреваются до 80градусов уже за 10-20 сек. С кулером на радиаторе веремя увеличивается до 30-40 Сек.Можно ли что-нибудь сделать?

[tauP10]

покажите осциллограммы тока и напряжения нижнего транзистора теперь на 10А
таже нужна осциллограмма напряжения б-э нижнего транзистора
и ответьте на вопрос - что за диоды на выходе ??
какая индуктивность выходного дросселя и на чем намотан, имеет ли зазор?

трудно подсказывать вслепую.